Примеры решения задач по электротехнике, физике

Английские цветочные сады В эпоху Елизаветы английские садоводы Знаменитая английская школа пейзажистов Математика Физика
Математика
Физика
  • Линейные электрические цепи постоянного тока
  • Магнитная индукция
  • Контрольная работа № 4
  • Волновая оптика
  • Фотоны. Энергия, импульс световых квантов.
  • Статистическая физика
  • Элементы кристаллографии
  • Начертательная геометрия
    История ландшафтного дизайна
    Английские цветочные сады
    В эпоху Елизаветы в ландшафтных
    садах
    Под влиянием Франции
    английские садоводы
    Знаменитая английская
    школа пейзажистов

     

    Кристаллы. Элементы кристаллографии

    Молярный объем кристалла

    Vm = M/r,

    где М — молярная масса вещества; r — плотность кристалла. Объем V элементарной ячейки в кристаллах:

    а) при кубической сингонии V = a3;

    б) при гексагональной сингонии . Здесь а и с — па­раметры решетки.

    Если для гексагональной решетки принять теоретическое значе­ние

    , то .

    Число Zm элементарных ячеек в одном моле кристалла

    Zm = Vm/v, или Zm = kNA/n,

    где k — число одинаковых атомов в химической формуле соедине­ния (например, в кристалле AgBr число одинаковых атомов Ag или Вг в химической формуле соедине­ния равно единице); NA — постоян­ная Авогадро; п— число одинаковых атомов, приходящихся на элементар­ную ячейку. Число Z элементарных ячеек в единице объема кристалла

    Z = Zm/Vm

    или в общем случае

    для кристалла, состоящего из одинаковых атомов (k = l),

    Параметр а кубической решетки

    Расстояние d между соседними атомами в кубической решетке:

    а) в гранецентрированной ,

    б) в объемно центрированной .

    Электроны в металле (по квантовой статистике)

     

     Распределение Ферми по энергиям для свободных электронов в металле:

    при Т¹0

    при Т¹0  при (e<ef), 

    где dn(e)-концентрация электронов, энергия которых заключена в интервале, значений от e до e+de; m и e - масса и энергия электрона; eƒ- уровень (или энергия) Ферми.

    Уровень Ферми в металле при Т=0

    .

    Температура Ткр вырождения

    .

    Удельная проводимость собственных полупроводников

    g = en(bn + bp),

    где e - заряд электрона; n - концентрация носителей заряда (электронов и дырок); bn и bp - подвижности электронов и дырок.

    Напряжение UH на гранях образца при эффекте Холла

    UH = RHBjℓ,

    где RH - Постоянная Холла; В - индукция магнитного поля;

    ℓ - ширина пластины; j - плотность тока.

    Постоянная Холла для полупроводников типа алмаза, кремния; германия и др., обладающих носителями заряда одного вида (n или р),

    ,

    где n - концентрация носителей заряда.

    История ландшафтного дизайна.